Accordo tra Stm e Hynix

Aziende

Memorie Dram e Nand Flash verranno fabbricate in Cina con un investimento da due miliardi di dollari

L ‘italo-francese StMicroelectronics e la coreana Hynix Semiconductor hanno annunciato una joint venture cinese per la costruzione di un impianto a Wuxi City , nella provincia di Jiangsu. Produranno chip di memoria Dram e Nand Flash, con un investimento pari a 2 miliardi di dollari: dopo l’annuncio StM è salita a Piazza Affari dello 0,61% a 15,88 euro.La costruzione della fabbrica di diffusione, dotata di una camera pulita di oltre 18.000 metri quadri, verrà avviata agli inizi del 2005.

Autore: ITespresso
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