Agere Systems annuncia il proprio ingresso nel mercato degli amplificatori di potenza wireless

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Presentati 21 innovativi transistor.

Agere Systems ha annunciato 21 innovativi transistor rivolti al mercato di amplificatori di potenza per base station wireless. I nuovi prodotti – i transistor di potenza, RF wireless a temperatura più bassa oggi disponibili – sono ottimizzati per apparecchiature per base station 3G, 2,5G e 2G. I transistor per amplificatori di potenza di Agere consentono di ottenere base station wireless a temperatura più bassa, più piccole e meno costose di qualsiasi altra stazione che utilizzi una differente tecnologia per transistor di potenza RF. I transistor riducono i costi complessivi sostenuti per amplificatori wireless e base station e garantiscono costi operativi e investimenti minori per i service provider del settore wireless. I nuovi prodotti di Agere sono potenzialmente in grado di far risparmiare miliardi di dollari ogni anno tra spese operative e investimenti di capitale per il settore dei service provider wireless. Inoltre, i nuovi prodotti di Agere aiutano ad accelerare la tendenza del settore verso la riduzione delle dimensioni e lo spostamento dellubicazione delle base station odierne, dalle dimensioni di un capannone a quelle di una valigia, dallinstallazione a terra allinstallazione su torri per antenne wireless. Grazie a questi prodotti, Agere è la prima azienda a raggiungere il livello di prestazione termica per transistor che si è cercato di conseguire negli ultimi dieci anni. I transistor raggiungono temperature operative più basse del 10-15 per cento rispetto ai transistor dei concorrenti attualmente disponibili. I transistor a temperature più basse di Agere possono dimezzare il numero delle ventole di raffreddamento nelle base station, se paragonati ai prodotti a temperature maggiori. Ridurre il numero delle ventole di raffreddamento si traduce anche in una riduzione dellinquinamento acustico, uno dei problemi maggiori per il mercato delle base station. Un transistor di potenza RF è un dispositivo elettronico unico dalle dimensioni di una moneta da 10 centesimi di euro. Il transistor è lelemento fondamentale nelle schede di circuito per amplificatori di potenza, dispositivi dalle dimensioni di un computer portatile installati nelle base station. Il transistor supporta segnali video, dati e voce su varie frequenze prima che i segnali siano trasmessi ai subscriber wireless. Una base station wireless funge da condotto di routing, trasmissione e ricezione di segnali wireless video, dati e voce. La tecnologia per transistor di Agere consiste in due innovazioni rivolte a migliorare prestazioni e affidabilità del transistor. La prima innovazione risolve il problema della eliminazione dei difetti nei chip inclusi in wafer al silicio ultra sottili, dallo spessore pari alla metà di un capello. I chip più spessi tendono ad essere più caldi perché non sono conduttori di calore come i chip sottili. Agere ha inventato una tecnica die (chip) thinning ad alto rendimento e a costi contenuti per wafer in grado di eliminare i difetti dei chip concorrenti. Il metodo di Agere consente di ottenere chip più sottili e più efficienti dal punto di vista della temperatura perché più freddi. I dispositivi di Agere possono essere progettati con una lunghezza minore del 30 per cento e uno spessore ridotto del 50 per cento. Questi transistor più sottili e più corti dissipano calore con maggiore efficacia dei transistor più lunghi e più spessi. La seconda innovazione migliora le prestazioni del transistor nellamplificazione dei segnali wireless. Utilizzando una connessione elettrica brevettata ad alta densità e bassa resistenza, Agere ha creato un transistor con resistenza ridotta e capacitanza Parasitic. Agere offre quindi transistor maggiormente efficienti e dalle prestazioni più elevate, due parametri chiave nella scelta di transistor per amplificatori wireless di potenza. La nuova famiglia di transistor è caratterizzata dalla tecnologia di processo LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), la più utilizzata per i transistor di potenza RF.

Autore: ITespresso
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