Ibm passa in testa nella tecnologia high-k

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Il gruppo sostiene di avere analizzato le tecnologie a 32nm in circolazione

IBM e i suoi partner sostengono di essere in grado di superare il resto dell’industria in prestazioni e potenza dissipata, usando gate metallici high-k sui wafer di silicio da 300mm che escono dalla fabbrica IBM di East Fishkill, NY.

L’alleanza create da IBM include Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, ST Micro e Toshiba, e la mancanza di AMD direi che si spiega sul fatto che quest’ultima userà per produrre alcuni dei propri chip uno degli altri membri. Il gruppo sostiene di avere analizzato le tecnologie a 32nm in circolazione (cioè quella Intel) e di avere scoperto di avere in media un vantaggio del 35 per cento in prestazioni rispetto alla tecnologia a 45nm alimentata allo stesso voltaggio. I 32 nm consumano poi dal 30 al 50 per cento in meno rispetto ai 45 nm sempre allo stesso voltaggio. Un buon vantaggio per i clienti dell’alleanza.

IBM e company è il primo gruppo OEM a dimostrare delle tecnologie high-k a 32 nm, ma sono stati sicuramente i progettisti di Intel ad accorgersi per primi che i gate all’ossido di silicio avevano una irritante tendenza a disperdere energia.

Nel 2007 Intel infatti decise di usare dei dielettrici high-k a base di afnio nei gate metallici usati nella nelle sua fabbriche da 45nm, quelle che producono le CPU della serie Penryn. L’afnio a 45 nm sistema il problema delle dispersioni portando quella dei gate nei wafers Intel ad un livello 10 volte inferiore. La rivale AMD non ha ancora annunciato alcuna tecnologia a base di afnio, mentre Intel lo userà anche nelle fabbriche a 32nm.

IBM pensa di andare in produzione con la tecnologia a basso consumo high-k entro il terzo trimestre 2008 e ha già avviato studi che confermano la possibilità di estendere la tecnologia a 22nm.

Fonte: The Inquirer

Autore: ITespresso
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