Intel crea un laser ibrido al silicio

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La tecnologia apre le porte alla produzione a prezzi contenuti di dispositivi
fotonici al silicio ad elevata ampiezza di banda

La divisione Ricerca e Sviluppo della Intel ha annunciato, insieme alla sede di Santa Barbara dell’Università della California, il primo laser ibrido al silicio del mondo. Intel ha spiegato che ciò infrange una delle ultime barriere che ostacolano la produzione a prezzi contenuti di dispositivi fotonici al silicio ad elevata ampiezza di banda. Cervelloni e cervellesse hanno combinato Silicio con Fosfuro di Indio in un unico chip. Quando si dà corrente all’apparecchio, si genera della luce generata entra nei condotti di silicio che guidano l’onda per produrre un raggio laser continuo. Tuttavia il direttore del Photonic lab della Intel, Mario Paniccia, ha avvertito che la tecnologia è ancora lontana dall’essere un prodotto commerciale. Ha detto che se tutto procede bene, però, ciò porterà a terabit di dati ottici convogliati in computer futuristici. John Bowers, ricercatore universitario di Santa Barbara, l’ha descritta come una nuova struttura laser che può essere utilizzata per l’intero wafer, per una parte di questo o a livello del die. In qualche modo Bowers è apparso più ottimista della stessa Intel circa la disponibilità pratica di una simile tecnologia.

Autore: ITespresso
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