Intel e Micron svelano 3D XPoint memory

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Intel e Micron svelano 3D XPoint memory
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3D XPoint memory è la tecnologia di Intel e Micron che potrebbe rinnovare il computing

Intel e Micron svelano 3D XPoint memory, la tecnologia che potrebbe rivoluzionare il computing. La nuova tecnologia di memoria offusca i confini fra RAM e storage, offrendo storage di dati ad alta densità e non-volatile  con veloci accessi più vicini a quelli della memoria principale.

Intel e Micron svelano 3D XPoint memory
Intel e Micron svelano 3D XPoint memory

La tecnologia 3D XPoint (3D cross-point) promette di essere 1.000 volte più veloce delle Nand flash usate negli attuali Solid state drives (Ssd), con densità fino a 10 volte quelle delle DRAM usate per i memory chip per computer.

La nuova tecnologia, svuppata insieme da Intel e Micron, è ora in produzione e i primi chip a 128Gbit dovrebbero entrare in produzione nel 2016. Le aziende non hanno voluto specificare esattamente di quali prodotti e se si tratta di storage o memoria.

3D XPoint è una tecnologia nuova che differisce da flash e RAM. È differente dalla tecnologia Nand e memoria tradizionale, sia nella fisica che nell’attribuzione nella velocità, capacità e densità.

L’ingrediente di 3D XPoint è un materiale speciale che cambia dalla resistenza elettrica alta a bassa, per archiviare un singolo bit di dati.

Il materiale permette alla 3D XPoint memory di avere una struttura semplice. Invece di essere basata su vari transistor, ogni cella è un singolo pilastro del misterioso materiale, in forma di sandwich fra righe e colonne a costituire una griglia.

3D XPoint technology ha potenzialità nei database di massive in-memory ed applicazioni dove il tempo di recupero è rapido.

3D XPoint è “1.000 volte più veloce delle Nand flash, ma non abbastanza rapido come le DRAM“, mentre il costo dei chip è “superiore alle Nand, tuttavia inferiore alle DRAM”.

Autore: ITespresso
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