Nand supercompresse da Samsung

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La società ha annunciato di aver sviluppato i primi prototipi di flash nand ad altissima densità.

I nuovi dispositivi da 16Gb sono in grado di ospitare l’impressionante cifra di 16,4 miliardi di transistor funzionali. L’impresa è stata possibile utilizzando la tecnologia produttiva a 50nm e l’architettura proprietaria 3D-transistor. Le nuove memorie da 16Gb dovrebbero imprimere una significativa accelerazione al mercato delle flash Nand (atteso un fatturato di almeno 10,1 miliardi di dollari per quest’anno), grazie alle possibilità che sono in grado di offrire al settore delle soluzioni storage per i dispositivi portable dove potranno essere utilizzate con funzioni di mini hard disk. I chip flash da 16Gb di Samsung consentiranno ai progettisti delle applicazioni di utilizzare memory card con capacità superiori ai 32GB unendo 16 di tali dispositivi su di un’unica scheda. Samsung ha in progetto di iniziare la produzione di massa delle nuove flash nella seconda metà del 2006.

Autore: ITespresso
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