Samsung a 90 nanometri

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La società ha annunciato di aver sviluppato le prime Ram uni-transistor utilizzando la tecnologia a 90 nanometri

Samsung ha prodotto i primi prototipi delle sue UtRam sviluppate con tecnologia a 90 nanometri e destinate al settore della telefonia mobile. Le nuove UtRam da 256 Mb offrono una velocità superiore e una maggior compatibilità alla progettazione di nuove funzionalità per i telefoni mobili. I nuovi modelli sono in grado di operare a una frequenza di 133MHz, superiore quindi a ogni altra attuale pseudo-SRam. Infatti i nuovi prototipi hanno la capacità di processare i dati 1.7 volte più velocemente delle attuali pseudo-Sram funzionanti a 80MHz. Grazie a queste caratteristiche le nuove UtRam dovrebbero trovare l’applicazione ideale nel miglioramento delle funzioni multimediali dei telefoni 3G. Le UtRam di Samsung sono il risultato di un progetto proprietario che prevede la configurazione delle celle di memoria come nelle classiche Dram e l’interfaccia di un device flash memory di tipo Sram o Nor.

Autore: ITespresso
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