Tecnologia di processo di nuova generazione

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Intel ha realizzato chip di SRAM (Static Random Access Memory)
pienamente funzionanti con la tecnologia di processo a 65 nanometri
(nm), il processo di produzione di semiconduttori in grandi quantità di
nuova generazione.

Intel intende mettere in produzione questo processo nel 2005 utilizzando wafer da 300 mm. Il nuovo processo a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) combina transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia, una versione di seconda generazione del silicio strained di Intel, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip. Il nuovo processo a 65 nm prevede transistor con una lunghezza del gate di appena 35 nm, che saranno i transistor CMOS più piccoli e dalle prestazioni più elevate disponibili per la produzione in grandi quantità. In confronto, i transistor più evoluti oggi in produzione, disponibili nei processori Intel Pentium 4, misurano 50 nm. In questo processo Intel ha integrato una versione di seconda generazione del silicio strained a elevate prestazioni. Questo tipo di silicio migliora il flusso della corrente, aumentando la velocità dei transistor con appena il 2% di incremento dei costi di produzione. Il processo integra otto strati di interconnessioni in rame e prevede l’uso di un materiale dielettrico low-k, che aumenta la velocità del segnale all’interno del chip e riduce il consumo di energia. Intel ha utilizzato il processo a 65 nm per realizzare chip di SRAM da 4 Mb pienamente funzionanti con una dimensione delle celle estremamente ridotta, pari a 0,57µm². Le celle di SRAM di piccole dimensioni favoriscono l’integrazione di cache più grandi nei processori, con un conseguente aumento delle prestazioni. Le celle di SRAM prevedono caratteristiche operative stabili, con un margine di rumore efficace a dimostrazione di proprietà di switching on/off estremamente efficienti. Ogni cella di memoria SRAM contiene sei transistor: 10 milioni di questi transistor possono essere inseriti in un’area da 1 mm2, che corrisponde all’incirca alla dimensione della punta di una penna a sfera.

Autore: ITespresso
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